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先進封裝的幾種形式一般來說，具備Bump、RDL、Wafer 和 TSV 四項基礎要素中任意一種即可稱為先進封裝。
Macom專注提升GaN-on-SiC產能Macom通過收購Wolfspeed射頻業務，拓展其在國防、航空航天等領域的應用場景。
美國放開H20芯片出口中國限制CoWoS嚴格來說屬于2.5D先進封裝技術
碳化硅晶圓特性及切割要點導電型碳化硅，在切割時劃片刀摩擦可能產生局部放電。
碳化硅襯底尺寸格局根據電學性能差異區分，碳化硅襯底分為導電型襯底和半絕緣型襯底。
小米YU7大賣，帶動國產碳化硅供應鏈升級隨著小米旗下車型的大批量交付，將助力國產碳化硅供應鏈進一步完善升級。
碳化硅將迎來快速增長SiC襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、SiC應用的基石。
晶圓劃切過程中怎么測高？目前測量刀片磨損有兩種方式：接觸測高和非接觸測高。
劃片機參數設置，劃片刀刀高設置通過不斷的修改切割參數及工藝設定，與劃片刀達到一個穩定的平衡，可以有效解決崩邊問題的發生。
減薄對后續晶圓劃切的影響隨著工藝創新，“先劃片后減薄”（DBG）與“減薄劃片”（DBT）技術應運而生。
