碳化硅目前是晶體生長技術及器件制造方面最成熟的寬禁帶半導體材料。碳化硅產業鏈上游為襯底和外延；中游為器件和模塊制造環節，包括SiC二極管、SiCMOSFET、全SiC模塊、SiC混合模塊等；下游應用包括5G通信、國防應用、數據傳輸、航空航天、新能源汽車、光伏產業、軌道交通、智能電網等領域。

1.碳化硅器件成本占比

在碳化硅器件的制造成本結構中，襯底成本通常占據最大比例，占比可達47%，其次是外延成本，占比約23%，這兩大工序是碳化硅器件的重要組成部分，它們的制備難度非常大，技術以及成本也非常高。此外，前段和研發費用也是成本結構中的重要部分，分別占比19%和6%左右。

2、碳化硅襯底市場規模

碳化硅襯底是用于制作寬禁帶半導體及其他碳化硅基器件的基礎材料。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程，形成為單片材料。2024年全球碳化硅襯底市場規模約為92億元，較上年增長24.32%，預計2025年全球碳化硅襯底市場規模將達到123億元。

3、碳化硅襯底市場結構

根據電學性能差異區分，碳化硅襯底分為導電型襯底和半絕緣型襯底。導電型襯底通過同質外延工藝，生長出與襯底材料特性一致的外延層，主要應用于碳化硅功率半導體器件的制造，2023年占比72.97%。半絕緣型襯底一方面可采用異質外延技術，生長出與襯底材料特性不同的氮化鎵外延層，主要用于射頻器件的生產，2023年占比27.03%。

4、碳化硅襯底尺寸格局

目前，中國碳化硅襯底行業正處于尺寸升級的關鍵發展階段，6英寸依舊是市場主流，8英寸的市場需求正逐步攀升，12英寸已有研發樣品。

當前12英寸商用化仍面臨挑戰，一方面生產成本高企，晶體生長能耗是8英寸的2.5倍，單片成本超1萬美元，遠超車企可接受閾值。另一方面，產業鏈協同不足制約進展，比如，目前還沒有成熟的12英寸外延設備。短期內，12英寸襯底將優先用于光伏逆變器和數據中心電源，預計2028年后逐步滲透至新能源汽車800V高壓平臺。

2025年國內8英寸碳化硅襯底迎來里程碑式進展，頭部企業加速擴產，技術也獲得突破，不斷顯著縮短生產周期，而且產品品質提升，達到國際領先水平。

我國已經從“6英寸追趕者”蛻變為“8英寸并跑者”乃至“12英寸領跑者”，成本下降、產能擴張與產業鏈協同的“三重引擎”，更讓中國方案成為全球碳化硅生態鏈升級的關鍵變量。