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先進封裝的幾種形式一般來說，具備Bump、RDL、Wafer 和 TSV 四項基礎要素中任意一種即可稱為先進封裝。
碳化硅晶圓特性及切割要點導電型碳化硅，在切割時劃片刀摩擦可能產生局部放電。
晶圓劃切過程中怎么測高？目前測量刀片磨損有兩種方式：接觸測高和非接觸測高。
劃片機參數設置，劃片刀刀高設置通過不斷的修改切割參數及工藝設定，與劃片刀達到一個穩定的平衡，可以有效解決崩邊問題的發生。
減薄對后續晶圓劃切的影響隨著工藝創新，“先劃片后減薄”（DBG）與“減薄劃片”（DBT）技術應運而生。
法拉第材料特性及切割要點法拉第旋轉片最核心的材料，有包括釔鐵石榴石(YIG)、鋱鎵石榴石(TGG)、鋱鋁石榴石(TAG)、稀土鐵石榴石(RIG)等在內的晶體材料。
晶圓劃切崩邊產生的成因及預防措施劃片刀磨粒平均顆粒尺寸、主軸轉速、工件進給速度和切削深度等條件都是影響脆性材料切割品質的重要因素。
晶圓劃片刀的切割工藝新一代的劃切系統能夠自動監測施加在刀片上的負載或扭矩
分立器件和集成電路有什么不同，是不是都可以叫做芯片？獨立功能的獨立零件叫做分立器件，復合功能的多管腳芯片叫做集成電路。
加工碲鋅鎘晶體時，如何避免崩邊在加工碲鋅鎘晶體時，要避免崩邊、崩角等問題，可以從以下多個方面采取措施。
