晶圓經(jīng)過背面研磨減薄后，經(jīng)由背面蒸鍍金屬，切片加工而成的芯片將在器件熱阻降低、工作散熱和冷卻、封裝厚度減薄等各個方面實現(xiàn)很大的改善。

在晶圓背面金屬化過程中，一般選擇鈦、鎳、銀作為三層背面金屬，厚度在10μm以內(nèi)。

通常，切割的晶圓的質(zhì)量標準是：如果背面碎片的尺寸在10μm以下，忽略不計，當(dāng)尺寸大于25μm時，可以看作是潛在的受損，50μm的平均大小可以接受。當(dāng)然，具體切割要求也要根據(jù)晶圓的厚度來定。

晶圓背面金屬化的主要目的是使接觸電極形成良好的歐姆接觸，經(jīng)過背面金屬化的芯片具有飽和壓降小、焊接可靠、通態(tài)源漏電阻小、散熱性好、工作能耗低等特點，常用于中小功率晶體管。

切片系統(tǒng)與刀片之間的協(xié)作是必要的，刀片在晶圓切片工藝優(yōu)化中起著主要的作用。金剛石尺寸、金剛石含量和粘結(jié)劑的類型，是決定刀片特性的三個關(guān)鍵參數(shù)，決定著刀片的壽命和切削質(zhì)量，改變?nèi)魏我粋€這些參數(shù)都將直接影響刀片特性與性能。為一個給定的切片工藝選擇最佳的刀片需要在刀片壽命與切削質(zhì)量之間作出平衡。